Интеллектуальная собственность

Расширенный поиск
Вид ИС
Предметная область
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ВЫСОКООКТАНОВОЙ ДОБАВКИ ПУТЕМ ГИДРИРОВАНИЯ ФУРФУРОЛА И ФУРФУРИЛОВОГО СПИРТА / RU 02723548 C1 20200616/
Открыть
Описание
Изобретение относится к способу получения 2-метилфурана путем селективного гидрирования фурановых производных - фурфурола и/или фурфурилового спирта. Способ заключается в гидрировании фурфурола и/или фурфурилового спирта в присутствии катализатора, содержащего 15 мас.% карбида молибдена, модифицированного металлическим никелем с мольным соотношением Ni/Mo от 0,1 до 0,5, остальное - углеродный носитель типа Сибунит, гидрирование проводят на установке периодического действия при температуре 150°С, давлении водорода 6,0 МПа, скорости перемешивания 1800 об/мин, времени реакции 4 ч с использованием раствора с объемным содержанием фурфурола или фурфурилового спирта в изопропаноле 3,5 об.% или на установке проточного типа в отсутствие растворителя при температуре 160-200°С, давлении водорода 5,0 МПа, скорости подачи сырья 3-6 мл/ч и объемной скорости водорода 300-600 мл/мин в присутствии указанного катализатора. Технический результат – разработан новый способ получения 2-метилфурана с высоким выходом при селективном гидрировании фурфурола и/или фурфурилового спирта. Полученный 2-метилфуран может быть использован для повышения октанового числа бензина. 1 з.п. ф-лы, 2 ил., 7 табл., 10 пр. Подробнее
Дата
2019-12-27
Патентообладатели
"федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования ""Новосибирский национальный исследовательский государственный университет"" "
Авторы
Яковлев Вадим Анатольевич , Смирнов Андрей Анатольевич , Шилов Иван Николаевич
Способ получения различных видов морфологии поверхности карбида кремния / RU 02724142 C1 20200622/
Открыть
Описание
Изобретение относится к области получения микро- и наноструктур поверхности карбида кремния. Cпособ получения различных видов морфологии поверхности карбида кремния включает установку образца карбида кремния в кювету с рабочей жидкостью, установку кюветы на координатный столик с последующим процессом ориентирования, фокусировку и абляцию импульсным лазерным излучением поверхности карбида кремния. Согласно изобретению установку образца карбида кремния в кювету осуществляют частичным погружением, при этом лазерным излучением, находящимся в прозрачном для карбида кремния спектре, одновременно на фронтальной и сопряженной с рабочей жидкостью тыльной поверхности кристалла, формируют источники теплового потока, вызывающие локальный нагрев и эрозию кристалла, при этом состав рабочей жидкости и режимы работы лазерного излучения выбираются из условия требуемой морфологии поверхности карбида кремния, а продукты эрозии с тыльной поверхности кристалла удаляются рабочей жидкостью. Способ позволяет получить различную морфологию обрабатываемой поверхности карбида кремния с высоким показателем качества при применении одного и того же оборудования и технических средств для реализации способа, изменяется только состав рабочей жидкости и режимы работы лазерного излучения. 1 пр., 2 ил. Подробнее
Дата
2019-12-17
Патентообладатели
"Акционерное общество ""ОКБ-Планета"" АО ""ОКБ-Планета"" "
Авторы
Петров Александр Владимирович , Евстигнеев Даниил Алексеевич , Карачинов Владимир Александрович , Ионов Александр Сергеевич , Желаннов Андрей Валерьевич
МЕТАЛЛОКОМПОЗИТНЫЙ ФРИКЦИОННЫЙ СПЛАВ / RU 02718243 C1 20200331/
Открыть
Описание
Изобретение относится к порошковой металлургии, в частности к получению фрикционной порошковой металлокомпозиции на основе железа. Может использоваться для изготовления деталей поглощающих аппаратов автосцепки железнодорожных грузовых вагонов. Металлокомпозитный фрикционный сплав на основе железа получен прессованием и содержит, мас.%: графит 4,5-6; олово 2,5-5; свинец 3,5-5; никель 1,5-2,5; дисульфид молибдена 2-4; карбид вольфрама 1,5-2,5; хром 0,5-1,6; железо - остальное. Материал характеризуется высокими значениями прочности и триботехнических характеристик при работе в режиме ударного трения. 3 ил., 2 табл., 1 пр. Подробнее
Дата
2019-11-11
Патентообладатели
"ОБЩЕСТВО С ОГРАНИЧЕННОЙ ОТВЕТСТВЕННОСТЬЮ ""КОМПОЗИТ-ИНЖИНИРИНГ"" "
Авторы
ГАБЕЦ Александр Валерьевич , ГАБЕЦ Денис Александрович , ЧЕРТОВСКИХ Евгений Олегович
Способ получения износостойкого покрытия на изделии из инструментальной стали / RU 02710617 C1 20191230/
Открыть
Описание
Изобретение относится к технологиям, обеспечивающим повышение износостойкости режущего инструмента, в частности шнековых сверл, изготовленных из инструментальной стали, за счет изменения состава и структуры их поверхностных слоев. Способ получения износостойкого покрытия на изделии из инструментальной стали включает диффузионное насыщение поверхности легирующими элементами в расплаве, при этом дополнительно в два этапа осуществляют ультразвуковую обработку поверхности изделия с частотой ультразвуковых колебаний упрочняющего элемента 22-24 кГц, с силой его прижима к обрабатываемой поверхности 1000-3000 Н. Первый этап ультразвуковой обработки осуществляют перед диффузионным насыщением поверхности изделия легирующими элементами в расплаве. Второй этап проводят после диффузионного насыщения поверхности изделия легирующими элементами в расплаве. Упомянутый расплав содержит следующие элементы, при следующем соотношении, мас. %: висмут 47-52, никель 4-6, хром 6-8, свинец 38-39. После второго этапа ультразвуковой обработки поверхности изделия дополнительно проводят диффузионное борирование при температуре 900-950 °С и выдержке 2-3 часа в порошковой смеси карбида бора и фторида натрия, при следующем соотношении, мас. %: карбид бора 96-98, фторид натрия 2-4. Обеспечивается повышение стойкости инструмента, а именно повышение микротвердости и износостойкости рабочих поверхностей режущего инструмента. 1 табл., 3 пр. Подробнее
Дата
2019-10-02
Патентообладатели
"Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования ""Кубанский государственный технологический университет"" "
Авторы
Абрамова Наталья Борисовна , Балаев Эътибар Юсиф Оглы
КОНТЕЙНЕР ДЛЯ ХРАНЕНИЯ, ТРАНСПОРТИРОВАНИЯ И ЗАХОРОНЕНИЯ РАДИОАКТИВНЫХ ОТХОДОВ / RU 02722214 C1 20200528/
Открыть
Описание
Изобретение относится к области ядерных технологий. Контейнер для хранения, транспортировки и захоронения твердых радиоактивных отходов содержит пенал из реакционноспеченного карбида кремния, содержащего свободный кремний в количестве 3-30 мас.%, на поверхность которого нанесен слой газофазного карбида кремния. Наружный слой пенала выполнен из пенометалла с открытой пористостью 60-70% и размером пор 5-6 мм, в поры засыпан порошок карбида бора дисперсностью 40-50 мкм, являющийся защитой окружающей среды от радиационного излучения, исходящего от ВАО. В пенал из карбида кремния помещена канистра из нержавеющей стали толщиной 1-1,5 мм для размещения радиоактивных отходов. Зазор между внутренней поверхностью пенала из карбида кремния и канистрой из нержавеющей стали, составляющий 5 мм, заполнен порошком карбида бора, являющимся защитой окружающей среды от радиационного излучения, исходящего от ВАО. Пенал из карбида кремния герметизирован крышкой из карбида кремния методом реакционной сварки. В качестве пенометалла с открытой пористостью использован пенометалл, выбранный из группы металлов, включающей титан, алюминий, медь и др. Изобретение позволяет повысить прочность контейнера для твердых радиоактивных отходов. 2 з.п. ф-лы, 1 ил. Подробнее
Дата
2019-09-13
Патентообладатели
"Общество с ограниченной ответственностью ""Керамические технологии"" "
Авторы
Бабаянц Геннадий Иванович , Бабаянц Константин Геннадьевич , Шарыкин Олег Витальевич
Корпус полупроводникового прибора из металломатричного композита и способ его изготовления / RU 02724289 C1 20200622/
Открыть
Описание
Изобретение относится к области конструирования полупроводниковых приборов. Композитный корпус полупроводникового прибора состоит из металла, например алюминия, с концентрацией в общей массе в смеси от 15 до 60% и частиц порошка карбида кремния, при этом частицы карбида кремния в смеси двух типов: размером от 70 до 200 мкм и размером от 20 до 40 мкм, в отношении 3:1, где 3 части частиц - частицы размером от 70 до 200 мкм и 1 часть частиц - размером от 20 до 40 мкм, а материал корпуса обладает сходным, с подложкой СВЧ транзистора на основе карбида кремния, коэффициентом термического расширения. Также предложен способ изготовления композитного корпуса полупроводникового прибора. Технический результат изобретения заключается в оптимизации технологии изготовления корпуса с металлизацией металломатричного композита, которая позволяет избежать растрава поверхности, а также получение прочного спая в местах монтажа кристалла на поверхности корпуса, интенсификации теплоотвода корпуса и, как следствие уменьшение, деформации при нагреве полупроводникового прибора в процессе работы. 2 н. и 2 з.п. ф-лы, 3 ил. Подробнее
Дата
2019-09-13
Патентообладатели
"Акционерное общество ""Научно-производственное предприятие ""Пульсар"" "
Авторы
Золотарев Алексей Алексеевич , Миннебаев Вадим Минхатович , Чумакова Лариса Владимировна
УСТРОЙСТВО ГЕНЕРИРОВАНИЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ТОКА ПОСРЕДСТВОМ ПРЕОБРАЗОВАНИЯ ЭНЕРГИИ РАДИОХИМИЧЕСКОГО БЕТА-РАСПАДА С-14 / RU 02714690 C2 20200219/
Открыть
Описание
Изобретение относится к устройству прямого преобразовании энергии радиохимического бета-распада изотопа в разность потенциалов и предназначено для использования в автономных системах как источник постоянного электрического тока. Устройство содержит полупроводниковую структуру планарного или вертикального исполнения с p-n переходом, радиоизотопный материал с чисто бета-распадом, большим периодом и достаточной активностью полураспада, электрические выводы для коммутации структурных элементов в электрическую цепь, позволяющие управлять характеристиками по току и напряжению; также устройство имеет корпус, обеспечивающий экологическую безопасность использования. В качестве полупроводниковой структуры использована гетероструктура карбида кремния на подложке монокристаллического кремния, причем в молекулярную форму карбида кремния входит радиоизотоп углерод-14. Доля радиоуглеродного изотопа С-14 в структуре карбида кремния по отношению к углероду С-12 составляет от 10-6 до 10-3 %. Возможен также вариант с пористой структурой карбида кремния. Техническим результатом является увеличение удельных энергетических характеристик преобразователя в электрическую энергию энергии радиохимического распада углерода-14 при использовании в качестве прямого преобразователя энергии гетероструктуру карбида кремния на подложке кремния. 7 з.п. ф-лы, 5 ил. Подробнее
Дата
2019-09-02
Патентообладатели
"Общество с ограниченной ответственностью ""БетаВольтаика"" "
Авторы
Долгополов Михаил Вячеславович , Сурнин Олег Леонидович , Чепурнов Виктор Иванович
КОМБИНИРОВАННЫЙ СПОСОБ УПРОЧНЕНИЯ МЕТАЛЛИЧЕСКИХ ПОВЕРХНОСТЕЙ ДЕТАЛЕЙ МАШИН, РАБОТАЮЩИХ В УСЛОВИЯХ АБРАЗИВНОГО ИЗНАШИВАНИЯ / RU 02718017 C1 20200330/
Открыть
Описание
Изобретение относится к упрочнению поверхностей деталей, работающих в условиях интенсивного абразивного изнашивания, которое может быть использовано при производстве и восстановлении деталей машин с заданными физико-механическими свойствами режущей поверхности. Способ включает нанесение металлокерамической пасты непосредственно на упрочняемую поверхность детали и вибродуговую обработку, после которой осуществляют электроискровое легирование упрочняемой поверхности детали вольфрам-кобальтовым электродом. Металлокерамическую пасту изготавливают механическим смешиванием стального матричного порошка, в который добавляют карбид бора, буру, оксиды алюминия и кремния, криолит, алюминиевый порошок с использованием связующего в виде жидкого стекла. Вибродуговое упрочнение осуществляют с использованием графитового электрода. В процессе упрочнения происходит термодиффузионное насыщение поверхности металлокерамическими компонентами. Изобретение обеспечивает значительное снижение шероховатости упрочненного покрытия и повышение износостойкости поверхности. Подробнее
Дата
2019-08-27
Патентообладатели
Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Казанский государственный аграрный университет"
Авторы
Адигамов Наиль Рашатович , Ахметзянов Ришат Ринатович , Шарифуллин Саид Насибуллович , Шайхутдинов Рафис Рашитович , Шарафиев Азамат Анасович , Адигамов Нур Наилевич
Способ получения борированных сталей в индукционных печах / RU 02723278 C1 20200609/
Открыть
Описание
Изобретение относится к металлургии, а именно к выплавке борированной стали в индукционных печах. Способ включает приготовление шихты, состоящей из флюссодержащей и металлической частей с легирующими компонентами, и закладку ее в индукционную печь. Перед закладкой в индукционную печь в кусках металлической части шихты выполняют глухие полости, которые заполняют составом, содержащим легирующие компоненты, включающие карбид бора и флюс, в количестве, необходимом для восстановления бора из легирующих компонентов, при этом к суммарной массе данного состава добавляют криолит в соотношении 8-16%. Изобретение позволяет осуществлять скоростное борирование стали без использования дорогостоящих лигатур и специально выплавляемых сплавов, содержащих бор. 1 табл., 3 ил. Подробнее
Дата
2019-08-06
Патентообладатели
"Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования ""Алтайский государственный аграрный университет"" "
Авторы
Ишков Алексей Владимирович , Иванайский Виктор Васильевич , Кривочуров Николай Тихонович , Иванайский Евгений Анатольевич , Артюшин Константин Геннадьевич
Проволока с наполнителем для внепечной обработки металлургических расплавов / RU 02723863 C1 20200617/
Открыть
Описание
Изобретение относится к области черной металлургии и может быть использовано для внепечной обработки расплавов чугуна или стали, в частности, для раскисления, десульфурации и модифицирования железоуглеродистых сплавов порошковой проволокой с наполнителем. Проволока содержит стальную оболочку, внутри которой заключен наполнитель, содержащий по крайней мере один элемент, выбранный из группы, состоящей из Ca, Ba, Sr, Mg, Si, Al, при этом на внутреннюю и/или наружную поверхность оболочки нанесен по крайней мере один слой композиционного покрытия, выполненного из лакокрасочного материала и содержащего ультрадисперсные частицы, выбранные из соединений карбидов, и/или нитридов, и/или карбонитридов, и/или силицидов, и/или боридов металлов. Изобретение позволяет получить равномерное распределение ультрадисперсных веществ по всей длине порошковой проволоки и, как следствие, по всему объему расплава, обеспечить более точный расчет необходимого количества вводимой порошковой проволоки; исключить коагуляции введенных частиц, увеличить удельную поверхность соприкосновения модификатора с расплавом металла, обеспечить максимальное усвоение модификатора расплавом и модифицирование структуры металла за счет создания дополнительных центров кристаллизации. 5 з.п. ф-лы Подробнее
Дата
2019-08-05
Патентообладатели
Общество с ограниченной ответственностью Новые перспективные продукты Технология
Авторы
Дынин Антон Яковлевич , Бакин Игорь Валерьевич , Новокрещенов Виктор Владимирович , Усманов Ринат Гилемович , Токарев Артем Андреевич , Рысс Олег Григорьевич
СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ ПОКРЫТИЯ ИЗ КУБИЧЕСКОГО КАРБИДА ВОЛЬФРАМА / RU 02707673 C1 20191128/
Открыть
Описание
Изобретение относится к области металлургии, а именно к химическому нанесению покрытия осаждением соединения с использованием электрических разрядов и плазменных струй, и может быть использовано в двигателестроении, авиастроении и машиностроении. Способ формирования покрытия из кубического карбида вольфрама на металлической подложке включает вакуумирование камеры, наполнение её газообразным аргоном, генерирование вольфрам- и углеродсодержащей плазмы и осаждение кубического карбида вольфрама на металлическую подложку. Вольфрам- и углеродсодержащую плазму генерируют с использованием коаксиального магнитоплазменного ускорителя, содержащего конденсаторную батарею, между электродами которого помещают электрически плавкую перемычку из спрессованной смеси порошков вольфрама и сажи при атомном соотношении C:W от 0,30:0,70 до 0,65:0,35. Упомянутое покрытие осаждают при комнатной температуре, давлении аргона в камере 105 Па и зарядном напряжении 3 кВ конденсаторной батареи емкостью 6 мФ. Обеспечивается получение покрытий из кубического карбида вольфрама разной толщины с характеристиками, значительно превышающими характеристики подложки по прочностным свойствам. 3 ил., 1 табл. Подробнее
Дата
2019-07-11
Патентообладатели
федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования Национальный исследовательский Томский политехнический университет
Авторы
Сивков Александр Анатольевич , Шаненков Иван Игоревич , Никитин Дмитрий Сергеевич , Ивашутенко Александр Сергеевич
УСТРОЙСТВО ДЛЯ ФОРМИРОВАНИЯ ПОКРЫТИЯ ИЗ КУБИЧЕСКОГО КАРБИДА ВОЛЬФРАМА / RU 02707688 C1 20191128/
Открыть
Описание
Изобретение относится к химическому нанесению покрытия осаждением соединения с использованием электрических разрядов и плазменных струй, и может быть использовано в двигателестроении, авиастроении и машиностроении. Устройство для формирования покрытия из кубического карбида вольфрама на металлической подложке содержит источник вольфрам- и углеродсодержащей плазмы, камеру, объем которой ограничен двумя металлическими крышками, которые прикреплены к ней болтовыми соединениями. В качестве источника вольфрам- и углеродсодержащей плазмы использован коаксиальный магнитоплазменный ускоритель, в котором цилиндрический электропроводящий ствол выполнен из двух электропроводящих цилиндров внутреннего цилиндра из графита и внешнего цилиндра из прочного немагнитного материала, центрального электрода, состоящего из графитового наконечника и хвостовика из стали. Ствол и центральный электрод соединены электрически плавкой перемычкой, выполненной из спрессованной смеси порошков вольфрама и сажи в атомном соотношении C:W от 0,30:0,70 до 0,65:0,35. Корпус упомянутого ускорителя выполнен из магнитного материала, сопряжен с внешним металлическим цилиндром и перекрывает зону размещения плавкой перемычки. К второму шинопроводу, присоединенному к хвостовику центрального электрода, последовательно присоединены ключ и конденсаторная батарея, связанная с первым шинопроводом. Свободный конец ствола ускорителя вставлен в камеру-реактор через осевое отверстие в её первой металлической боковой крышке. Обеспечивается получение покрытия из кубического карбида вольфрама толщиной 30-50 мкм и твердостью от 30,8±0,5 до 32,5±0,7 ГПа на металлической подложке. 3 ил., 1 табл. Подробнее
Дата
2019-07-11
Патентообладатели
федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования Национальный исследовательский Томский политехнический университет
Авторы
Сивков Александр Анатольевич , Шаненков Иван Игоревич , Никитин Дмитрий Сергеевич , Рахматуллин Ильяс Аминович
Способ получения нанокристаллического муассанита / RU 02714344 C1 20200214/
Открыть
Описание
Изобретение относится к области выращивания слоев нанокристаллического гексагонального карбида кремния (муассанита) и может быть использовано в электронной промышленности. Способ включает перемещение ленты углеродной фольги в горизонтальной плоскости с подачей к ее поверхности расплавленного кремния в динамическом вакууме, скорость перемещения ленты задают в пределах 0,5-3,0 м/мин, а после извлечения ленты с выращенным слоем ее нарезают на мерные полосы, размещают их в печи и нагревают на воздухе до температуры 1050°С в течение 8 часов, при этом перемещение углеродной ленты периодически прерывают с шагом, соответствующим ширине зоны нагрева на 3-5 мин, а затем вновь возобновляют. В процессе выращивания слоев карбида кремния кубической модификации на их поверхности при проведении периодических изотермических выдержек получают слой нанокристаллов гексагонального карбида кремния (муассанита) с высокой скоростью при пониженной температуре синтеза. 4 ил., 1 пр. Подробнее
Дата
2019-07-09
Патентообладатели
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики твердого тела Российской академии наук
Авторы
Брантов Сергей Константинович
ШИХТА ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ КАРБИДА КРЕМНИЯ ДЛЯ МЕТАЛЛУРГИЧЕСКОГО ПРОИЗВОДСТВА / RU 02715828 C1 20200303/
Открыть
Описание
Изобретение относится к области электротермии, химической технологии, глубокой переработки каменных энергетических углей и может быть использовано при получении карбида кремния (SiC) для применения в восстановительных процессах при использовании в металлургической промышленности для производства стали. Для получения карбида кремния применяют шихтовые материалы, состоящие из отсевов кварцита фракцией 5-20 мм и каменного энергетического угля фракцией 10-30 мм при следующем соотношении компонентов, мас.%: отсевы кварцита 43,7-46; каменный энергетический уголь 54-56,3. Процесс ведения плавки карбида кремния ведут в электрической печи с вертикальной шахтой с непрерывной загрузкой шихты и с периодической выгрузкой карбида кремния через каналы разгрузки. Технический результат заключается в снижении расхода кремнеземсодержащих материалов в восстановительной плавке карбида кремния при содержании SiC в получаемом продукте не менее 88 мас.%. 2 з.п. ф-лы, 1 ил., 5 пр. Подробнее
Дата
2019-06-24
Патентообладатели
Ёлкин Константин Сергеевич , Кашлев Иван Миронович
Авторы
Ёлкин Константин Сергеевич , Кашлев Иван Миронович
СПОСОБ ЗАЩИТЫ УГЛЕРОДСОДЕРЖАЩИХ КОМПОЗИЦИОННЫХ МАТЕРИАЛОВ КРУПНОГАБАРИТНЫХ ИЗДЕЛИЙ ОТ ОКИСЛЕНИЯ / RU 02716323 C1 20200311/
Открыть
Описание
Изобретение относится к способам защиты углеродсодержащих материалов от окисления и касается защиты от окисления крупногабаритных изделий. Согласно способу заготовку из пористого углеродсодержащего композиционного материала подвергают предварительному силицированию жидкофазным методом при нагреве до 1650-1750°С при давлении в реакторе 600-760 мм рт.ст. в аргоне с использованием нитрида кремния в качестве прекурсора жидкого кремния. Оставшийся некарбидизованным кремний отгоняют в вакууме при температуре 1800-1850°С. Операции силицирования и отгонки свободного кремния из пор материала осуществляют в едином технологическом процессе. Затем в порах материала заготовки одним из известных методов формируют высокопористый углерод, предпочтительно, путем выращивания наноуглерода в форме частиц, волокон или трубок. После этого на поверхности заготовки формируют шликерное покрытие на основе диборидов тугоплавких металлов и химически активного к кремнию компонента(ов): нанодисперсного углерода, карбидов молибдена (МоС и Mo2C) или Mo5Si3, или смесь углерода с молибденом с размером частиц до 5 мкм. Производят окончательное силицирование паро-жидкофазным методом. Поверх полученного покрытия формируют покрытие на основе оксидов тугоплавких металлов. Техническим результатом является повышение надежности защиты углеродсодержащих материалов крупногабаритных изделий от окисления при температурах 2000°С и более при одновременном повышении воспроизводимости получаемых результатов. 1 з.п. ф-лы, 4 пр., 2 табл. Подробнее
Дата
2019-06-18
Патентообладатели
Бушуев Вячеслав Максимович , Синани Игорь Лазаревич
Авторы
Бушуев Вячеслав Максимович , Синани Игорь Лазаревич
Жаропрочный сплав / RU 02700347 C1 20190916/
Открыть
Описание
Изобретение относится к области металлургии, а именно к жаропрочным хромоникелевым сплавам аустенитного класса и может быть использовано при изготовлении коллекторов реакционных труб высокотемпературных установок водорода, метанола и аммиака. Жаропрочный сплав содержит, мас.%: углерод 0,05÷0,15; кремний 0,50÷1,50; марганец 0,50÷1,50; хром 19÷23; никель 30÷33; ниобий 0,70÷1,60; титан 0.005÷0,10; цирконий 0,005÷0,15; вольфрам 0,005÷0,10; лантан 0,005÷0,10; кобальт 0,0005÷0,10; молибден ≤0,10; сера ≤0,03; фосфор ≤0,03; свинец ≤0,01; олово + мышьяк + цинк + сурьма ≤0,02; азот ≤0,05; медь ≤0,1; железо – остальное. Сплав имеет структуру, состоящую из аустенитной матрицы и распределенных в ней интерметаллидов состава Cr(22÷56)Fe(4÷7)Ni и Nb(25÷35)Cr(2,5÷3,5)(FeNiTi)(0,9÷1,1) при массовом соотношении аустенитной матрицы и интерметаллидов (91÷95):(3÷8):(1÷3). Обеспечивается равномерное распределение вторичных карбидов и интерметаллидов в аустенитной матрицы. Это позволяет избежать науглероживания при пиролизе углеводородов и образование горячих трещин при сварке реакционных труб. Сплав характеризуется высокой жаропрочностью. 2 пр. Подробнее
Дата
2019-06-13
Патентообладатели
"Афанасьев Сергей Васильевич , ООО ""Реакционные трубы"" "
Авторы
Афанасьев Сергей Васильевич , Исмайлов Олег Захидович , Пыркин Александр Валерьевич
Жаропрочный сплав / RU 02700346 C1 20190916/
Открыть
Описание
Изобретение относится к металлургии, в частности к жаропрочным хромоникелевым сплавам аустенитного класса с интерметаллидным упрочнением, и может найти применение в производстве реакционных труб для агрегатов аммиака и метанола с рабочими температурами 800-950°С и давлением 2,5-5 МПа и нефтегазоперерабатывающих установок с режимами эксплуатации от 950 до 1160°С и давлением до 0,7 МПа. Жаропрочный сплав содержит, мас.%: углерод 0,30÷0,50; кремний 0,8÷1,60; марганец 0,9÷1,50; хром 24,0÷27,0; никель 33.0÷36.0; ниобий 0,8÷1,90; титан 0,11÷0,25; церий >0÷0,05; лантан 0,0005÷0,10; цирконий 0,0005÷0,10; вольфрам 0,11÷0,25; алюминий 0,0005÷0,10; ванадий 0,0005÷0,20; кобальт 0,0005÷0,10; молибден 0,0005÷0,10; серу ≤0,02; фосфор ≤0,02; свинец ≤0,007; олово ≤0,006; мышьяк ≤0,006; цинк ≤0,006; сурьму ≤0,007; азот ≤0,01; медь ≤0,1; железо - остальное. Сплав имеет аустенитную структуру, состоящую из аустенитной матрицы и распределенных в ней интерметаллидов Cr(22÷52)Fe(4÷7)Ni и Nb(25÷35)Cr(2,5÷3,5)(FeNiTi)(0,9÷1,1) при массовом соотношении аустенитной матрицы и интерметаллидов (90÷95):(3÷8):(1÷3). Обеспечивается повышение однородности вторичных карбидов в структуре сплава. Сплав характеризуется высокими значениями жаропрочности. 2 пр. Подробнее
Дата
2019-06-13
Патентообладатели
"Афанасьев Сергей Васильевич , ООО ""Реакционные трубы"" "
Авторы
Афанасьев Сергей Васильевич , Исмайлов Олег Захидович , Пыркин Александр Валерьевич
Изделие, содержащее основу из кремния и покрывающий слой в виде нанопленки углерода с кристаллической решеткой алмазного типа, и способ изготовления этого изделия / RU 02715472 C1 20200228/
Открыть
Описание
Изобретение относится к классу полупроводниковых приборов и может быть использовано в микро-, нано- и оптоэлектронике. Функциональный элемент полупроводникового прибора имеет основу, выполненную из кремния со сформированным на нем переходным слоем, содержащим карбид кремния, на котором имеется покрывающий слой в виде нанопленки углерода с кристаллической решеткой алмазного типа. Способ изготовления заявляемого функционального элемента полупроводникового прибора осуществляется в вакуумной печи в два этапа, на первом из которых осуществляют нагрев основы до температуры 950-1400°С и синтез пленки карбида кремния на ее поверхности в газовой среде, представляющей собой оксид или диоксид углерода или смесь оксида или диоксида углерода с инертным газом и/или азотом при давлении 20-600 Па. На втором этапе в вакуумной печи в среде тетрафторида углерода при температуре 1300-1400°С и давлении 2500-6000 Па из полученной пленки карбида кремния формируют нанопленку углерода с кристаллической решеткой алмазного типа путем согласованного замещения атомов. Наилучший результат достигается, когда в качестве основы применяют кремний ориентации (111). Достигаемый технический результат - получение на подложке (основе) из кремния углеродного нанокристаллического материала с кристаллической структурой алмазного типа высокого качества за счет сохранения алмазоподобного типа кристаллической решетки при конверсии Si→SiC→С. 2 н. и 4 з.п. ф-лы, 9 ил. Подробнее
Дата
2019-06-11
Патентообладатели
"Общество с ограниченной ответственностью ""Научно-технический центр ""Новые технологии"" "
Авторы
Кукушкин Сергей Арсеньевич , Осипов Андрей Викторович , Феоктистов Николай Александрович
Устройство плазменной обработки полупроводниковых структур / RU 02718132 C1 20200330/
Открыть
Описание
Изобретение относится к области нанотехнологий и полупроводниковых производств и может быть использовано в различных технологических процессах изготовления полупроводниковых устройств высокой степени интеграции посредством нанесения и травления функциональных материалов, включая проводники, полупроводники и диэлектрики на подложках различных полупроводников, например кремния, германия, А3В5, карбида кремния, нитрида галлия, сапфира. Сущность изобретения заключается в том, что в устройстве плазменной обработки полупроводниковых структур, содержащем вакуумную камеру с системой подвода газов и системой откачки, подложкодержатель, установленный в зоне основания вакуумной камеры и соединенный с блоком ВЧ смещения, систему генерации плазмы, состоящую из модуля термостабилизации с блоком теплообмена и модуля формирования газовых потоков, включающего газораспределитель и генератор плазмы с массивом сопел, каждое сопло включает первое отверстие с дном, сопряженное со вторым отверстием меньшего диаметра, расположенным в сторону подложкодержателя, в каждом сопле установлена заглушка, выполненная в виде первого цилиндрического модуля, включающего торец, соединенный со вторым цилиндрическим модулем с диаметром, меньшим диаметра первого цилиндрического модуля, причем первый цилиндрический модуль установлен в первом отверстии с первым зазором и второй цилиндрический модуль установлен во втором отверстии со вторым зазором. Техническим результатом изобретения является повышение надежности устройства. 3 з.п. ф-лы, 2 ил. Подробнее
Дата
2019-06-10
Патентообладатели
"Акционерное общество ""Научно-производственное предприятие ""Электронное специальное-технологическое оборудование"" "
Авторы
Виноградов Георгий Константинович
Способ роста эпитаксиальных слоев карбида кремния р-типа проводимости с малой плотностью базальных дислокаций / RU 02716866 C1 20200317/
Открыть
Описание
Изобретение относится к области полупроводниковой техники и может быть использовано при росте эпитаксиальных слоев карбида кремния (SiC) с малой плотностью базальных дислокаций. Способ заключается в том, что так же как в известном способе для роста эпитаксиальных слоев SiC используется подложка SiC, поверхность которой разориентирована относительно кристаллографической плоскости Миллера-Бравэ (1120) более чем на 0°, но не более чем на 8°. Поверхность подложки с одной стороны травится в водороде, силане или аргоне при температуре не менее 1450°С и не более 1800°С и давлении водорода не менее 30 мбар и не более 500 мбар в течение не более 90 мин, после чего на травленой поверхности подложки растится буферный слой SiC р-типа проводимости с толщиной не менее 1 мкм и не более 50 мкм, на поверхности которого растится эпитаксиальный слой SiC р-типа проводимости. Изобретение обеспечивает получение бездефектных слоев карбида кремния. 2 ил., 1 табл. Подробнее
Дата
2019-06-06
Патентообладатели
"Публичное Акционерное Общество ""Электровыпрямитель"" "
Авторы
Гарцев Николай Александрович , Наркаева Ирина Владимировна