Способ измерения теплового сопротивления переход-корпус силовых полупроводниковых приборов

Изобретение относится к контрольно-измерительной технике, в частности к технике измерения тепловых параметров силовых полупроводниковых приборов (СПП) в корпусном исполнении. Технический результат - обеспечение неразрушающего контроля теплового сопротивления переход- корпус СПП, сокращение времени измерения и в конечном итоге повышение выхода годности изделий в технологическом цикле их серийного производства. Сущность: полупроводниковый кристалл нагревают путем пропускания через него постоянного тока заданной амплитуды I. В процессе нагрева измеряют величину I и падение напряжения U на испытуемом приборе. Величину греющей мощности Р вычисляют по выражению Р=IU. По истечении времени t, равного утроенному значению тепловой постоянной конструкции прибора t=3τT, источник греющего тока отключают. Одновременно подключают источник измерительного тока и измеряют величину термочувствительного параметра в момент отключения источника греющего тока, в качестве которого используют прямое падение напряжения на кристалле Unp1. По истечении времени t=3τT по окончании процесса естественного перераспределения накопленного полупроводниковым кристаллом тепла по структуре конструкции прибора, включая массивное тело основания корпуса прибора, производят повторное измерение величины термочувствительного параметра Unp2. По полученным значениям рассчитывают разность Unp1-Unp2 и определяют разность между температурами перехода и корпуса испытуемого прибора KT⋅(Unp1-Unp2)=TJ-TC, где KT - величина температурного коэффициента прямого напряжения. Величину теплового сопротивления переход-корпус Rthjc рассчитывают как отношение полученных значений TJ-TC и мощности Р. 8 ил.