Изобретение относится к области радиотехники и может быть использовано в качестве функционального узла аналоговых микросхем (например, дифференциальных (ОУ) и мультидифференциальных операционных усилителях (МОУ), компараторах и т.п.) для задач усиления и фильтрации сигналов, в том числе в диапазоне низких температур и при воздействии проникающей радиации. Технический результат заключается в создании работоспособного в диапазоне низких температур неинвертирующего токового зеркала на комплементарных полевых транзисторах с управляющим pn-переходом, обеспечивающего неинвертирующие преобразования входного токового сигнала с коэффициентом передачи по току больше единицы. Многофункциональное токовое зеркало содержит полевые транзисторы, вспомогательные полевые транзисторы, токостабилизирующий двухполюcник, полевые транзисторы с управляющим pn-переходом (JFET). 4 з.п. ф-лы, 1 ил.