Изобретение относится к области радиотехники. Технический результат заключается в создании как инвертирующего, так и неинвертирующего токового зеркала на комплементарных полевых транзисторах с управляющим p-n-переходом для работы при низких температурах, обеспечивающего для разных выходов инвертирующее и неинвертирующее преобразования входного токового сигнала с коэффициентом передачи по току больше единицы. Токовое зеркало содержит шину источника питания, полевые транзисторы, источник опорного напряжения, полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом (JFET). 3 з.п. ф-лы, 9 ил.