Способ выращивания кристалла из раствора при постоянной температуре

Описание
Изобретение относится к области выращивания искусственных кристаллов из растворов. В способе выращивания кристалла из раствора при постоянной температуре, включающем отвод и последующее возвращение раствора в кристаллизатор, общий объем раствора в кристаллизаторе делят на две сообщающиеся между собой части, в первой из которых поддерживают постоянный уровень и концентрацию раствора, а во второй меняют уровень раствора путем подачи газа под давлением, вытесняя объем раствора из второй части в первую. Для поддержания постоянного уровня в первой части из нее отводят в сборник конденсата, размещенный вне кристаллизатора, объем раствора, который равен объему раствора, вытесненного из второй части. Подачу газа во вторую часть производят вручную или автоматически. В качестве газа возможно применение воздуха. Технический результат – повышение качества кристалла при одновременном упрощении процесса. 3 з.п. ф-лы, 1 ил.
Дата
2019-10-16
Патентообладатели
"Федеральное государственное учреждение ""Федеральный научно-исследовательский центр ""Кристаллография и фотоника"" Российской академии наук"" "
Авторы
Крамаренко Владимир Анатольевич
Номер заявки
RU 02717799 C1 20200325
Предметная область
Нет данных
Ссылка на ФИПС