ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНЫЙ КАСКАД НА КОМПЛЕМЕНТАРНЫХ JFET ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРАХ С ПОВЫШЕННЫМ ОСЛАБЛЕНИЕМ ВХОДНОГО СИНФАЗНОГО СИГНАЛА

Изобретение относится к области радиотехники. Технический результат: создание условий, при которых обеспечиваются более высокие значения коэффициента ослабления входных синфазных сигналов и коэффициента подавления помех по шинам питания. Для этого предложен дифференциальный каскад на комплементарных JFET полевых транзисторах с повышенным ослаблением входного синфазного сигнала, который содержит первый (1) и второй (2) входы устройства, первый (3) входной полевой транзистор, первый (4) токовый выход устройства, первую (5) шину источника питания, второй (6) входной полевой транзистор, второй (7) токовый выход устройства, третий (8) входной полевой транзистор, третий (9) токовый выход устройства, вторую (10) шину источника питания, четвертый (11) входной полевой транзистор, четвертый (12) токовый выход устройства, первый (13) дополнительный полевой транзистор, первый (14) вспомогательный двухполюсник. 1 з.п. ф-лы, 12 ил.