КМОП КНИ ИНТЕГРАЛЬНАЯ МИКРОСХЕМА С ПОВЫШЕННОЙ РАДИАЦИОННОЙ СТОЙКОСТЬЮ (ВАРИАНТЫ)

Изобретение относится к субмикронным КМОП КНИ ИМС, действующим в условиях воздействия больших доз радиационного облучения, характерных для длительной эксплуатации космических аппаратов в дальнем космосе. КМОП КНИ ИМС с повышенной радиационной стойкостью содержит систему-на-кристалле, выполняющую функции преобразования и/или хранения информации, и генератор отрицательного напряжения, включающий последовательно соединенные устройство управления и блок накачки заряда, выход которого является выходом генератора отрицательного напряжения и соединен с выводом подложки КМОП КНИ ИМС, устройство управления реализует по меньшей мере функцию формирования тактовых импульсов и имеет по меньшей мере один выход тактовых импульсов, выходы тактовых импульсов устройства управления соединены с соответствующими входами тактовых импульсов блока накачки заряда. Блок накачки заряда по первому варианту изобретения включает по меньшей мере два МОП транзистора и один конденсатор, причем все МОП транзисторы в составе блока накачки заряда являются P-канальными. По второму варианту изобретения блок накачки заряда включает по меньшей мере один конденсатор и по меньшей мере два латеральных биполярных диода, реализованные в едином КМОП КНИ технологическом процессе наряду с КМОП транзисторами. Изобретение обеспечивает расширение работоспособности субмикронных КМОП КНИ ИМС в область воздействия больших доз радиационного облучения за счет исключения радиационно-индуцированных токов утечки в транзисторах блока накачки заряда, и тем самым исключения отказов блока накачки заряда и КМОП КНИ ИМС в целом. 5 з.п. ф-лы, 6 ил.